MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
186-1285
Codice costruttore:
NVHL110N65S3F
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.87mm

Altezza

20.82mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e l'efficienza più elevata. SUPERFET III FRFET Le prestazioni ottimali di recupero inverso del diodo di body del MOSFET possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

700 V a TJ = 150°C.

Carica Ultra Low Gate (tip. QG = 58 nC)

Capacità di uscita a bassa efficacia (tip. COSS(eff.) = 553 pF)

Capacità PPAP

Tip. RDS(on) = 93 mΩ

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Minore perdita di commutazione

Capacità PPAP

Applicazioni

Convertitore CC/CC HV

Prodotti finali

Caricabatteria di bordo

Convertitore CC/CC

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