MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e l'efficienza più elevata. SUPERFET III FRFET Le prestazioni ottimali di recupero inverso del diodo di body del MOSFET possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

700 V a TJ = 150°C.
Carica Ultra Low Gate (tip. QG = 58 nC)
Capacità di uscita a bassa efficacia (tip. COSS(eff.) = 553 pF)
Capacità PPAP
Tip. RDS(on) = 93 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Capacità PPAP
Applicazioni
Convertitore CC/CC HV
Prodotti finali
Caricabatteria di bordo
Convertitore CC/CC