MOSFET onsemi, canale N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NVHL110N65S3F
- Codice RS:
- 186-1315
- Codice costruttore:
- NVHL110N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-1315
- Codice costruttore:
- NVHL110N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 110mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 240W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 58nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 240W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 58nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 20.82mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Non conforme
MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e l'efficienza più elevata. SUPERFET III FRFET Le prestazioni ottimali di recupero inverso del diodo di body del MOSFET possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.
700 V a TJ = 150°C.
Carica Ultra Low Gate (tip. QG = 58 nC)
Capacità di uscita a bassa efficacia (tip. COSS(eff.) = 553 pF)
Capacità PPAP
Tip. RDS(on) = 93 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Capacità PPAP
Applicazioni
Convertitore CC/CC HV
Prodotti finali
Caricabatteria di bordo
Convertitore CC/CC
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