MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL110N65S3F

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

9,93 €

(IVA esclusa)

12,114 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 408 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 84,965 €9,93 €
10 - 983,965 €7,93 €
100 - 2483,77 €7,54 €
250 - 4983,67 €7,34 €
500 +3,58 €7,16 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-4486
Codice costruttore:
NTHL110N65S3F
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

NTHL

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

20.82mm

Lunghezza

15.87mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features:

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products:

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

Link consigliati