MOSFET onsemi, canale N, 82 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro

MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni di recupero inverso ottimizzate del corpo diodo del MOSFET SuperFET III FRFET® eliminano la necessità di componenti aggiuntivi e migliorano l’affidabilità del sistema.

700 V a TJ = 150 °C
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 81 nC)
Minore perdita di commutazione
Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 722 pF)
Minore perdita di commutazione
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Capacità ottimizzata
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Tip. RDS(on) = 70 mΩ
Applicazioni
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS