MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 82 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 172-8790
- Codice costruttore:
- NTHL082N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 172-8790
- Codice costruttore:
- NTHL082N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 82mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 313W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 81nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.82 mm | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 82mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 313W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 81nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.82 mm | ||
Altezza 20.82mm | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni di recupero inverso ottimizzate del corpo diodo del MOSFET SuperFET III FRFET® eliminano la necessità di componenti aggiuntivi e migliorano l’affidabilità del sistema.
700 V a TJ = 150 °C
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 81 nC)
Minore perdita di commutazione
Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 722 pF)
Minore perdita di commutazione
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Capacità ottimizzata
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Tip. RDS(on) = 70 mΩ
Applicazioni
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS