MOSFET onsemi, canale N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 62 A, 4 Pin, TO-247, Superficie NTH4LN040N65S3H

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
230-9085
Codice costruttore:
NTH4LN040N65S3H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

SUPERFET III

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

379W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

132nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

2.4mm

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

13.28mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET serie SUPERFET III on Semiconductor è una nuova famiglia di MOSFET a giunzione super−(SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo− e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, la serie MOSFET SUPERFET III FAST contribuisce a ridurre al minimo i vari sistemi di potenza e a migliorare l'efficienza del sistema.

Testato al 100% con effetto valanga

Conformità RoHS

Tip. RDS(ON) = 32 mΩ

Resistenza di gate interna: 0,7 Ω

Carica di gate ultra bassa (tip. QG = 132 NC)

700 V a TJ= 150 °C

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