MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
189-0256
Codice costruttore:
NTHL190N65S3HF
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NTHL

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

162W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.82 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.87mm

Altezza

20.82mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è la nuova famiglia di MOSFET a giunzione super-tensione (SJ) che utilizza la tecnologia a bilanciamento di carica per una bassa resistenza on-resistance e prestazioni di carica a gate inferiore. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto ai vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e la maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo body del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

700 V a TJ = 150 °C

Carica gate ultra bassa (Typ. QG = 35 nC)

Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 467 pF)

Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)

Capacità ottimizzata

Tip. RDS(on) = 161 mΩ

Vantaggi

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Minore perdita di commutazione

Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Applications

Telecomunicazioni

Sistema Cloud

Industriale

Prodotti finali

Alimentazione per le telecomunicazioni

Alimentazione per server

Caricabatterie EV

Solare/UPS

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