MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IPW60R190P6FKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
110-9099
Codice costruttore:
IPW60R190P6FKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS P6

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

151W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

21.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza Infineon serie CoolMOS™E6/P6


La gamma di MOSFET Infineon della serie CoolMOS™E6 e P6 . Questi dispositivi sono estremamente efficienti e possono essere utilizzati in diverse applicazioni, tra cui la correzione del fattore di potenza (PFC), l'illuminazione e i dispositivi di consumo, nonché celle solari, telecomunicazioni e server.

Transistor MOSFET, Infineon


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