MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 20.7 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SPW20N60C3FKSA1
- Codice RS:
- 462-3449
- Codice costruttore:
- SPW20N60C3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
5,04 €
(IVA esclusa)
6,15 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 162 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 219 unità in spedizione dal 07 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,04 € |
| 10 - 24 | 4,78 € |
| 25 - 49 | 4,57 € |
| 50 - 99 | 4,38 € |
| 100 + | 4,07 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 462-3449
- Codice costruttore:
- SPW20N60C3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 190mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 87nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 208W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 20.95mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Larghezza | 5.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 190mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 87nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 208W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 20.95mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Larghezza 5.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon CoolMOS™ serie C3, corrente di scarico continua massima di 21 A, dissipazione di potenza massima di 208 W - SPW20N60C3FKSA1
Questo MOSFET è fondamentale per numerose applicazioni elettroniche, progettato per migliorare l'efficienza in diverse attività. Si comporta bene in ambienti ad alta potenza, servendo i settori dell'automazione, elettrico e meccanico. Grazie a specifiche di lunga durata, garantisce prestazioni stabili, gestendo carichi di potenza notevoli e ottimizzando l'uso dell'energia.
Caratteristiche e vantaggi
• La configurazione a canale N migliora le capacità di conduzione
• La corrente di drenaggio continua massima di 21A supporta le applicazioni intensive
• L'alta tensione nominale di 650V garantisce l'affidabilità in condizioni difficili
• La bassa carica del gate facilita una commutazione efficiente, riducendo le perdite di energia
• Le eccellenti prestazioni termiche consentono il funzionamento a temperature elevate
• Progettato per il montaggio a foro passante, semplifica le procedure di assemblaggio
Applicazioni
• Regolazione e gestione dell'alimentazione nei sistemi industriali
• Sistemi di controllo del motore per un'erogazione efficiente della potenza
• Utilizzato nei convertitori DC-DC per l'alta tensione
• Integrato nei sistemi di energia rinnovabile per una conversione efficace dell'energia
• Impiegato nell'elettronica di potenza per migliorare le prestazioni dei dispositivi
Qual è la temperatura massima di funzionamento di questo componente?
Funziona in modo efficiente a una temperatura massima di +150°C, adatta ad ambienti ad alta temperatura senza compromettere le prestazioni.
In che modo la bassa carica di gate favorisce il funzionamento del dispositivo?
Una bassa carica di gate consente velocità di commutazione più elevate, riducendo significativamente le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza complessiva durante il funzionamento.
Questo MOSFET è in grado di gestire cicli ripetuti ad alta temperatura?
Sì, è stato progettato per mantenere le sue caratteristiche elettriche nel corso di numerosi cicli termici, garantendo una lunga durata in ambienti a temperatura variabile.
Esiste uno stile di montaggio specifico consigliato per questo dispositivo?
Questo dispositivo è destinato al montaggio a foro passante, facilitando l'assemblaggio di PCB e fornendo connessioni meccaniche stabili.
Quali sono le precauzioni di sicurezza da adottare durante l'installazione?
Assicurarsi che la tensione gate-source non superi i limiti specificati (da -20V a +20V) per evitare danni al dispositivo e seguire le precauzioni ESD standard per evitare danni statici.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW60R190C6FKSA1
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW60R190P6FKSA1
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante SPA20N60C3XKSA1
- MOSFET onsemi 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante