MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 20,7 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 911-4830
Codice costruttore:: SPW20N60C3FKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 20,7 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:: 911-4830
Codice costruttore:: SPW20N60C3FKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie C3, corrente di scarico continua massima di 21 A, dissipazione di potenza massima di 208 W - SPW20N60C3FKSA1

Questo MOSFET è fondamentale per numerose applicazioni elettroniche, progettato per migliorare l'efficienza in diverse attività. Si comporta bene in ambienti ad alta potenza, servendo i settori dell'automazione, elettrico e meccanico. Grazie a specifiche di lunga durata, garantisce prestazioni stabili, gestendo carichi di potenza notevoli e ottimizzando l'uso dell'energia.

Caratteristiche e vantaggi

• La configurazione a canale N migliora le capacità di conduzione
• La corrente di drenaggio continua massima di 21A supporta le applicazioni intensive
• L'alta tensione nominale di 650V garantisce l'affidabilità in condizioni difficili
• La bassa carica del gate facilita una commutazione efficiente, riducendo le perdite di energia
• Le eccellenti prestazioni termiche consentono il funzionamento a temperature elevate
• Progettato per il montaggio a foro passante, semplifica le procedure di assemblaggio

Applicazioni

• Regolazione e gestione dell'alimentazione nei sistemi industriali
• Sistemi di controllo del motore per un'erogazione efficiente della potenza
• Utilizzato nei convertitori DC-DC per l'alta tensione
• Integrato nei sistemi di energia rinnovabile per una conversione efficace dell'energia
• Impiegato nell'elettronica di potenza per migliorare le prestazioni dei dispositivi

Qual è la temperatura massima di funzionamento di questo componente?

Funziona in modo efficiente a una temperatura massima di +150°C, adatta ad ambienti ad alta temperatura senza compromettere le prestazioni.

In che modo la bassa carica di gate favorisce il funzionamento del dispositivo?

Una bassa carica di gate consente velocità di commutazione più elevate, riducendo significativamente le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza complessiva durante il funzionamento.

Questo MOSFET è in grado di gestire cicli ripetuti ad alta temperatura?

Sì, è stato progettato per mantenere le sue caratteristiche elettriche nel corso di numerosi cicli termici, garantendo una lunga durata in ambienti a temperatura variabile.

Esiste uno stile di montaggio specifico consigliato per questo dispositivo?

Questo dispositivo è destinato al montaggio a foro passante, facilitando l'assemblaggio di PCB e fornendo connessioni meccaniche stabili.

Quali sono le precauzioni di sicurezza da adottare durante l'installazione?

Assicurarsi che la tensione gate-source non superi i limiti specificati (da -20V a +20V) per evitare danni al dispositivo e seguire le precauzioni ESD standard per evitare danni statici.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20,7 A
Tensione massima drain source	650 V
Tipo di package	TO-247
Serie	CoolMOS™ C3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.9V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	208 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	87 nC a 10 V
Larghezza	5.3mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	15.9mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	20.95mm
Minima temperatura operativa	-55 °C