MOSFET STMicroelectronics, canale N, 190 mΩ, 18 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 168-7632
Codice costruttore:: STW24N60M2
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 190 mΩ, 18 A, TO-247, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)**

1,622 €

(IVA esclusa)

1,979 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
30 +	1,622 €	48,66 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7632
Codice costruttore:: STW24N60M2
Costruttore:: STMicroelectronics

ST*24N60M2 N-channel low Qg Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	18 A
Tensione massima drain source	650 V
Tipo di package	TO-247
Serie	MDmesh M2
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.15mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	29 nC a 10 V
Lunghezza	15.75mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	20.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 190 mΩ, 18 A, TO-247, Su foro

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MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics

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