MOSFET onsemi, canale N, 0,084 Ω, 46 A, TO-247-4, Su foro
- Codice RS:
- 229-6462
- Codice costruttore:
- NTH4L060N090SC1
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 450)
9,941 €
(IVA esclusa)
12,128 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 450 + | 9,941 € | 4.473,45 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 229-6462
- Codice costruttore:
- NTH4L060N090SC1
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
I MOSFET serie di potenza SiC on Semiconductor utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate.
Massima efficienza
Frequenza di funzionamento più rapida
Densità di potenza aumentata
EMI ridotte
Dimensioni ridotte del sistema
Frequenza di funzionamento più rapida
Densità di potenza aumentata
EMI ridotte
Dimensioni ridotte del sistema
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 46 A |
| Tensione massima drain source | 650 V |
| Tipo di package | TO-247-4 |
| Serie | SiC Power |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 0,084 Ω |
| Tensione di soglia gate massima | 4.3V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | SiC |