MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 84 mΩ N, 46 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
229-6462
Codice costruttore:
NTH4L060N090SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

46A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SiC Power

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

84mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

221W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

87nC

Tensione diretta Vf

3.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.2 mm

Altezza

22.74mm

Lunghezza

15.8mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET serie di potenza SiC on Semiconductor utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate.

Massima efficienza

Frequenza di funzionamento più rapida

Densità di potenza aumentata

EMI ridotte

Dimensioni ridotte del sistema

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