MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 50 mΩ N, 55 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante NTH4L045N065SC1
- Codice RS:
- 229-6460
- Codice costruttore:
- NTH4L045N065SC1
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 229-6460
- Codice costruttore:
- NTH4L045N065SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SiC Power | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 50mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 187W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 105nC | |
| Tensione diretta Vf | 4.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.2 mm | |
| Altezza | 22.74mm | |
| Lunghezza | 15.8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SiC Power | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 50mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 187W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 105nC | ||
Tensione diretta Vf 4.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.2 mm | ||
Altezza 22.74mm | ||
Lunghezza 15.8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET serie di potenza SiC on Semiconductor utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate.
Massima efficienza
Frequenza di funzionamento più rapida
Densità di potenza aumentata
EMI ridotte
Dimensioni ridotte del sistema