MOSFET onsemi, canale N, 0,05 Ω, 55 A, TO-247-4, Su foro
- Codice RS:
- 229-6460
- Codice costruttore:
- NTH4L045N065SC1
- Costruttore:
- onsemi
56 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Unità
13,21 €
(IVA esclusa)
16,12 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità |
| 1 - 9 | 13,21 € |
| 10 - 49 | 11,95 € |
| 50 - 99 | 11,38 € |
| 100 - 224 | 10,82 € |
| 225 + | 10,27 € |
- Codice RS:
- 229-6460
- Codice costruttore:
- NTH4L045N065SC1
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
I MOSFET serie di potenza SiC on Semiconductor utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate.
Massima efficienza
Frequenza di funzionamento più rapida
Densità di potenza aumentata
EMI ridotte
Dimensioni ridotte del sistema
Frequenza di funzionamento più rapida
Densità di potenza aumentata
EMI ridotte
Dimensioni ridotte del sistema
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 55 A |
| Tensione massima drain source | 650 V |
| Tipo di package | TO-247-4 |
| Serie | SiC Power |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 0,05 Ω |
| Tensione di soglia gate massima | 4.3V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | SiC |