MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.145 Ω, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB24N65E-GE3

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Codice RS:
256-7412
Codice costruttore:
SIHB24N65E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.145Ω

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

122nC

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 24 A - SIHB24N65E-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di conversione di potenza e controllo a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una gestione di tensione elevata, una corrente continua consistente e un montaggio su scheda compatto.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale di drenaggio 650 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 24 A per una gestione del carico sostanziale
• Rds(on) di 0,145 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• Dissipazione massima di 250 W per una capacità termica ad alta potenza
• La caduta in avanti di Vf 1,2 V riduce al minimo le perdite di conduzione del diodo
• La carica gate 122 nC supporta prestazioni di commutazione prevedibili

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con driver LED che richiedono una gestione ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la correzione del fattore di potenza nei front-end
• Adatto per inverter ed elementi di commutazione primari UPS

Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare durante la progettazione?


Il dispositivo non deve essere azionato oltre una tensione massima da gate a sorgente di 30 V per evitare lo stress da ossido di gate.

In che modo l'ambiente termico influisce sulla capacità di corrente continua?


La corrente di drenaggio continua specificata suppone una gestione termica adeguata

senza un dissipatore di calore sufficiente o vie termiche per circuito stampato, la capacità di corrente effettiva viene ridotta prima di raggiungere il limite di dissipazione di 250 W.

Quale metodo di montaggio è necessario per l'integrazione su circuito stampato?


È fornito in un contenitore TO-263 destinato all'assemblaggio a montaggio superficiale e deve essere saldato su un layout del pad della scheda che fornisce conduzione termica al piano in rame.

Quali temperature ambientali estreme può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?


Il dispositivo è classificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione di temperatura.

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