MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.145 Ω, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 256-7412
- Codice costruttore:
- SIHB24N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
123,85 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,477 € | 123,85 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7412
- Codice costruttore:
- SIHB24N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 24A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.145Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 122nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 24A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.145Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 122nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua massima 24 A - SIHB24N65E-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in sistemi elettronici e industriali. Funziona in un'ampia gamma di temperature e viene fornito in un contenitore TO-263 a montaggio superficiale adatto per l'integrazione su assemblaggi popolati in cui è richiesta una gestione a tensione elevata.
Caratteristiche e vantaggi:
• Tensione massima drain-source di 650 V che consente la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 24 A che supporta una gestione del carico sostanziale
• Rds(on) di 0,145 Ω che riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• dissipazione di potenza di 250 W che consente un carico termico sostenuto
• Carica gate tipica 122 nC per requisiti di gate-drive prevedibili
• Valore nominale gate-source 30 V che fornisce un ampio margine gate-drive
• Corrente di drenaggio continua di 24 A che supporta una gestione del carico sostanziale
• Rds(on) di 0,145 Ω che riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• dissipazione di potenza di 250 W che consente un carico termico sostenuto
• Carica gate tipica 122 nC per requisiti di gate-drive prevedibili
• Valore nominale gate-source 30 V che fornisce un ampio margine gate-drive
Applicazioni
• Adatto per la commutazione sul lato primario SMPS in alimentatori ad alta tensione
• Ideale per gli interruttori front-end per azionamento di motori industriali
• Utilizzato per la conversione CC-CC ad alta tensione nei sistemi di automazione
• Può essere utilizzato per interruttori di potenza in controllori di saldatura o riscaldamento
• Ideale per gli interruttori front-end per azionamento di motori industriali
• Utilizzato per la conversione CC-CC ad alta tensione nei sistemi di automazione
• Può essere utilizzato per interruttori di potenza in controllori di saldatura o riscaldamento
Quali sono i limiti termici da considerare per il funzionamento per impieghi pesanti?
Il dispositivo è classificato per funzionare fino a una temperatura di giunzione fino a +150 °C e fino a -55 °C, pertanto è necessaria una gestione termica come un dissipatore di calore appropriato o un'area in rame per circuito stampato per mantenere temperature di giunzione sicure ad alta dissipazione di potenza.
In che modo la carica del gate influisce sulla selezione del circuito di azionamento?
Con una carica di gate tipica di 122 nC alla tensione di gate specificata, i circuiti di azionamento devono generare e dissipare una corrente sufficiente per ottenere la velocità di commutazione richiesta, tenendo conto delle perdite di commutazione e della capacità di potenza del driver.
Quali sono le considerazioni di montaggio necessarie per l'affidabilità dell'assemblaggio?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 con tre pin, pertanto è necessario utilizzare processi di saldatura a riflusso standard e un design corretto del tampone per garantire il collegamento meccanico e termico.
Quale attributo ambientale o normativo è incluso?
Il componente è conforme ai requisiti RoHS, il che indica che soddisfa le restrizioni specificate sulle sostanze pericolose.
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