MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.145 Ω, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB24N65E-GE3
- Codice RS:
- 256-7412
- Codice costruttore:
- SIHB24N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
123,85 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,477 € | 123,85 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7412
- Codice costruttore:
- SIHB24N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 24A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.145Ω | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 122nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 24A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.145Ω | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 122nC | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 24 A - SIHB24N65E-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di conversione di potenza e controllo a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una gestione di tensione elevata, una corrente continua consistente e un montaggio su scheda compatto.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale di drenaggio 650 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 24 A per una gestione del carico sostanziale
• Rds(on) di 0,145 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• Dissipazione massima di 250 W per una capacità termica ad alta potenza
• La caduta in avanti di Vf 1,2 V riduce al minimo le perdite di conduzione del diodo
• La carica gate 122 nC supporta prestazioni di commutazione prevedibili
• Corrente di drenaggio continua di 24 A per una gestione del carico sostanziale
• Rds(on) di 0,145 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• Dissipazione massima di 250 W per una capacità termica ad alta potenza
• La caduta in avanti di Vf 1,2 V riduce al minimo le perdite di conduzione del diodo
• La carica gate 122 nC supporta prestazioni di commutazione prevedibili
Applicazioni
• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con driver LED che richiedono una gestione ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la correzione del fattore di potenza nei front-end
• Adatto per inverter ed elementi di commutazione primari UPS
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con driver LED che richiedono una gestione ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la correzione del fattore di potenza nei front-end
• Adatto per inverter ed elementi di commutazione primari UPS
Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare durante la progettazione?
Il dispositivo non deve essere azionato oltre una tensione massima da gate a sorgente di 30 V per evitare lo stress da ossido di gate.
In che modo l'ambiente termico influisce sulla capacità di corrente continua?
La corrente di drenaggio continua specificata suppone una gestione termica adeguata
senza un dissipatore di calore sufficiente o vie termiche per circuito stampato, la capacità di corrente effettiva viene ridotta prima di raggiungere il limite di dissipazione di 250 W.
Quale metodo di montaggio è necessario per l'integrazione su circuito stampato?
È fornito in un contenitore TO-263 destinato all'assemblaggio a montaggio superficiale e deve essere saldato su un layout del pad della scheda che fornisce conduzione termica al piano in rame.
Quali temperature ambientali estreme può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?
Il dispositivo è classificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione di temperatura.
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