MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.084 Ω Miglioramento, 34 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB085N60EF-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

15,79 €

(IVA esclusa)

19,264 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 1000 unità in spedizione dal 23 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 87,895 €15,79 €
10 - 187,10 €14,20 €
20 - 986,955 €13,91 €
100 - 4985,81 €11,62 €
500 +4,945 €9,89 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8293
Codice costruttore:
SIHB085N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SIHB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.084Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET serie SIHB di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 34 A - SIHB085N60EF-GE3


Questo MOSFET a canale N ad alta tensione è progettato per la commutazione di potenza in sistemi industriali ed elettronici impegnativi. Funziona come transistor in modalità di potenziamento adatto per l'assemblaggio a montaggio superficiale in applicazioni che richiedono una robusta gestione della tensione e un'elevata tolleranza termica. Il dispositivo supporta livelli di azionamento gate convenzionali ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una conduzione controllata e una commutazione rapida.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale di drenaggio 650 V per la capacità di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 34 A per il funzionamento con carichi pesanti
• Rds(on) di 0,084 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione nei circuiti
• La dissipazione di potenza di 184 W consente una gestione prolungata del carico termico
• Carica gate tipica a 63 nC per l'ottimizzazione delle prestazioni di commutazione
• La tolleranza del gate di 30 V supporta le tensioni di azionamento del gate standard

Applicazioni


• Adatto per la commutazione sul lato primario SMPS ad alta tensione
• Ideale per gli stadi dell'inverter di azionamento del motore industriale
• Utilizzato per interruttori front-end di correzione del fattore di potenza
• Può essere utilizzato per circuiti di pilotaggio di relè e contattori ad alta tensione

Entro quale intervallo di temperatura può operare?


È classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a un massimo di 150 °C, consentendo l'uso in ampi ambienti termici.

In che modo il contenitore è adatto ai processi di assemblaggio?


Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 con tre pin, che facilita il montaggio a saldare automatizzato e la gestione termica sui circuiti stampati di potenza.

Qual è il limite dei requisiti di azionamento del gate?


La tensione massima consentita da gate a sorgente è di 30 V, pertanto i circuiti di azionamento gate devono essere progettati per rimanere entro questa soglia.

Il componente è conforme a qualsiasi direttiva ambientale?


È conforme ai requisiti RoHS, indicando l'assenza di alcune sostanze soggette a restrizioni nella sua struttura.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.