MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 120 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB120N60E-T5-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

12,29 €

(IVA esclusa)

14,994 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 792 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 186,145 €12,29 €
20 - 985,96 €11,92 €
100 - 1985,71 €11,42 €
200 - 4985,405 €10,81 €
500 +5,10 €10,20 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2845
Codice costruttore:
SIHB120N60E-T5-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Link consigliati