MOSFET Vishay, canale N, 4,6 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-2248
Codice costruttore:: SUM70040E-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 4,6 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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5 - 45	3,252 €	16,26 €
50 - 120	2,408 €	12,04 €
125 - 245	2,182 €	10,91 €
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Codice RS:: 124-2248
Codice costruttore:: SUM70040E-GE3
Costruttore:: Vishay

SUM70040E, N-Channel 100V (D-S) MOSFET 120A
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	10.41mm
Carica gate tipica @ Vgs	76 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	9.65mm
Altezza	4.82mm
Tensione diretta del diodo	1.5V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 4,6 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

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