MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 120 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB120N60E-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2842
Codice costruttore:
SIHB120N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 25 A - SIHB120N60E-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni a montaggio superficiale in ambienti industriali e di automazione. Funziona come un dispositivo di potenziamento a canale N adatto per le attività di conversione e commutazione dell'alimentazione in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e un flusso di corrente sostanziale. Il componente è fornito in un contenitore TO‐263 con tre terminali ed è destinato all'uso in un'ampia gamma di temperature.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 25 A supporta condizioni di carico sostenute
• La resistenza di accensione di 120 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 179 W consente un notevole spazio termico
• La tolleranza del gate di 30 V consente tensioni di gate-drive flessibili
• La carica gate tipica consente di velocizzare le transizioni di commutazione a 30 nC

Applicazioni


• Adatto per convertitori di azionamento motore industriali che gestiscono alte tensioni
• Ideale per le fasi di commutazione SMPS e alimentazione front-end
• Utilizzato per driver LED e controllo lampade che richiedono un VDS elevato
• Può essere utilizzato per gli stadi inverter nei sistemi a energia rinnovabile
• Adatto per la commutazione di potenza ad alta tensione per impieghi generali nell'automazione

Quali temperature estreme può tollerare questo dispositivo durante il funzionamento?


È classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici difficili.

In che modo il contenitore influisce sul montaggio e sulle prestazioni termiche?


Il contenitore a montaggio superficiale TO‐263 facilita il montaggio su scheda saldata e offre un percorso termico adatto per il dissipamento del calore tramite circuiti stampati in rame e accessori esterni.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate per una commutazione affidabile?


Mantenere la tensione del gate entro ±30 V e considerare la carica di gate tipica di 30 nC durante la progettazione dei circuiti del driver per garantire una corrente di azionamento e una velocità di commutazione adeguate.

Esistono limitazioni sull'uso automobilistico?


Non è specificato come conforme agli standard automobilistici, pertanto non deve essere considerato adatto per le applicazioni automobilistiche certificate.

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