MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 120 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB120N60E-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2842
Codice costruttore:
SIHB120N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

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