MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.05 Ω Depletion, 46 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

115,50 €

(IVA esclusa)

141,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 950 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 +2,31 €115,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
239-8626
Codice costruttore:
SIHB055N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

46A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.05Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie Vishay EF è costituita da MOSFET di potenza con diodo a corpo rapido. Questo MOSFET viene utilizzato per alimentatori di server e telecomunicazioni, saldatura e azionamenti per motori.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa capacità effettiva

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.