MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.121 Ω N, 27 A, 3 Pin, TO-263, Montaggio superficiale SIHB135N65S-GE3

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Codice RS:
878-897
Codice costruttore:
SIHB135N65S-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Serie

S

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.121Ω

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

255W

Tensione diretta Vf

1.4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Vishay offre prestazioni eccezionali per applicazioni ad alta efficienza energetica. Progettato specificamente per la gestione dell'alimentazione più impegnativa, garantisce perdite minime durante il funzionamento, migliorando l'affidabilità e l'efficienza complessiva del sistema.

Utilizza la più recente tecnologia della serie SF per un'efficienza all'avanguardia

Presenta una bassa cifra di merito, riducendo significativamente la dissipazione di potenza

Offre una capacità effettiva inferiore per migliorare le prestazioni di commutazione

Energia a valanga classificata per resistere a condizioni difficili

La configurazione singola ottimizza lo spazio e semplifica la progettazione

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