MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.05 Ω Depletion, 46 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB055N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8627
Codice costruttore:
SIHB055N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

46A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

EF

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.05Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie Vishay EF è costituita da MOSFET di potenza con diodo a corpo rapido. Questo MOSFET viene utilizzato per alimentatori di server e telecomunicazioni, saldatura e azionamenti per motori.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa capacità effettiva

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

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