MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.05 Ω Depletion, 46 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB055N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8627
Codice costruttore:
SIHB055N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

46A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.05Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie Vishay EF è costituita da MOSFET di potenza con diodo a corpo rapido. Questo MOSFET viene utilizzato per alimentatori di server e telecomunicazioni, saldatura e azionamenti per motori.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa capacità effettiva

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

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