MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.02 Ω Depletion, 95 A, 3 Pin, TO-247, Superficie SIHG026N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8629
Codice costruttore:
SIHG026N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

95A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.02Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

521W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie Vishay EF è costituita da MOSFET di potenza con diodo a corpo rapido. Questo MOSFET viene utilizzato per alimentatori di server e telecomunicazioni, saldatura e azionamenti per motori.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa capacità effettiva

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

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