MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.02 Ω Depletion, 95 A, 3 Pin, TO-247, Superficie
- Codice RS:
- 239-8628
- Codice costruttore:
- SIHG026N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 tubo da 25 unità*
165,35 €
(IVA esclusa)
201,725 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 25 + | 6,614 € | 165,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 239-8628
- Codice costruttore:
- SIHG026N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 95A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | EF | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.02Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 521W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 95A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie EF | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.02Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 521W | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
La serie Vishay EF è costituita da MOSFET di potenza con diodo a corpo rapido. Questo MOSFET viene utilizzato per alimentatori di server e telecomunicazioni, saldatura e azionamenti per motori.
Tecnologia serie E di 4a generazione
Bassa capacità effettiva
Ridotte perdite di commutazione e conduzione