MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.072 Ω, 47 A 650 V, TO-247AC
- Codice RS:
- 180-7345
- Codice costruttore:
- SIHG47N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-7345
- Codice costruttore:
- SIHG47N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 47A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.072Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 417W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 273nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 47A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Serie E | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.072Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 417W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 273nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET TO-247AC-3 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 650V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una resistenza drain-source di 72mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 417W e corrente di drain continua di 47A. Ha una tensione di pilotaggio di 10V. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità di ingresso • (Ciss)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
• perdite di conduzione e commutazione ridotte
Carica di gate ultra bassa (Qg) •
Applications
• Caricabatterie
• illuminazione con resistenza fluorescente
• scarica ad alta intensità (HID)
• Azionamenti per motori
• alimentatori con correzione del fattore di potenza (PFC)
• Energia rinnovabile
• alimentatori per server e telecomunicazioni
• inverter fotovoltaici solari
• alimentatori switching (SMPS)
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS testato
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