MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG150N60E-GE3

Codice RS:: 268-8298
Codice costruttore:: SIHG150N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG150N60E-GE3

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MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG150N60E-GE3

Codice RS: 268-8299

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Codice RS:: 268-8298
Codice costruttore:: SIHG150N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	22A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	SIHG
	Tipo di package	TO-247AC
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.158Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	36nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	179W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	15.7mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 22A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie SIHG
	Tipo di package TO-247AC
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.158Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 179W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 15.7mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHG150N60E-GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET serie SIHG di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 22 A - SIHG150N60E-GE3

Questo MOSFET è un transistor a canale N in modalità di potenziamento ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza in apparecchiature elettroniche impegnative. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è fornito in un pacchetto a foro passante adatto per un montaggio robusto e assemblaggi utilizzabili. La conformità alla direttiva RoHS ne supporta l'uso nei casi in cui si applicano requisiti sulle sostanze soggette a restrizioni.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale da drenaggio a sorgente di 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 22 A supporta una gestione del carico sostanziale
• L'Rds(on) di 0,158 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 36 nC ottimizza la dinamica di commutazione
• La dissipazione di potenza massima di 179 W consente un impiego ad alta potenza
• La tolleranza del gate di 30 V consente di gestire le comuni tensioni del driver

Applicazioni

• Adatto per convertitori e inverter industriali ad alta tensione
• Ideale per le fasi di azionamento del motore nei sistemi di controllo
• Utilizzato con alimentatori e regolatori raffreddati ad aria forzata
• Può essere utilizzato per UPS e sistemi di commutazione di accumulo di energia
• Adatto per la prototipazione a foro passante e assemblaggi riparabili

Quale tipo di contenitore è necessario consentire quando si progetta una scheda?

Viene fornito in un contenitore a foro passante TO-247AC che richiede un ingombro di montaggio compatibile e la disposizione di dissipatori di calore per gestire i carichi termici.

In che modo la temperatura influisce sui limiti di funzionamento continuo?

Il dispositivo è classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, pertanto è necessario applicare strategie di gestione termica e declassamento a temperature di giunzione elevate per mantenere l'affidabilità.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono consigliate per una commutazione efficiente?

Con una carica gate tipica di 36 nC e un Vgs massimo di 30 V, scegliere un driver in grado di erogare rapidamente la carica richiesta senza superare il limite di tensione gate.

Quale comportamento del diodo si deve prevedere durante la commutazione sincrona?

L'elemento in avanti intrinseco presenta una tensione in avanti di circa 1,2 V, che influisce sulle perdite di conduzione quando il diodo corpo conduce durante gli eventi di recupero inverso.

MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG150N60E-GE3

Alternativa

MOSFET serie SIHG di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 22 A - SIHG150N60E-GE3

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni

Quale tipo di contenitore è necessario consentire quando si progetta una scheda?

In che modo la temperatura influisce sui limiti di funzionamento continuo?

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono consigliate per una commutazione efficiente?

Quale comportamento del diodo si deve prevedere durante la commutazione sincrona?

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