MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG150N60E-GE3
- Codice RS:
- 268-8298
- Codice costruttore:
- SIHG150N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 268-8298
- Codice costruttore:
- SIHG150N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Serie | SIHG | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.158Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 179W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.7mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Serie SIHG | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.158Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 179W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.7mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET serie SIHG Vishay, tensione drain-source 650 V, corrente di drenaggio continua 22 A - SIHG150N60E-GE3
Questo MOSFET a canale N è progettato per commutare e controllare l'alimentazione ad alta tensione nell'elettronica industriale e nelle apparecchiature di automazione. Funziona come transistor in modalità di potenziamento per l'uso in stadi di potenza discreti in cui sono richieste un'elevata tensione di blocco e una notevole capacità di corrente. Il dispositivo è fornito in un contenitore TO-247AC a foro passante adatto per l'assemblaggio convenzionale e le disposizioni di dissipazione del calore.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente continua di 22 A supporta una gestione del carico sostanziale • La bassa Rds(on) di 0,158 Ω riduce le perdite di conduzione • La dissipazione di potenza di 179 W consente un robusto flusso termico • Carica gate tipica di 36 nC per un comportamento di commutazione prevedibile • La tolleranza del gate di 30 V consente di gestire le comuni tensioni di azionamento
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione in sistemi industriali • Ideale per alimentatori switching nelle apparecchiature di produzione • Utilizzato per le fasi di azionamento del motore che richiedono una commutazione ad alta tensione • Può essere utilizzato per la conversione di potenza lato linea nei rack di automazione • Utilizzato per lo sviluppo e il collaudo dell'elettronica di potenza da laboratorio
Entro quale intervallo di temperatura può operare?
Il dispositivo funziona in un'ampia gamma ambientale da -55 °C a un limite di giunzione massimo di 150 °C per ambienti termici impegnativi.
Come viene montato al meglio per la gestione del calore?
Il formato a foro passante TO-247AC consente il fissaggio diretto ai dissipatori utilizzando la linguetta del contenitore e l'hardware di montaggio standard per migliorare il trasferimento termico.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate?
Il gate deve essere azionato entro i limiti assoluti di ±30 V e le forme d'onda di commutazione devono tenere conto della carica tipica del gate di 36 nC per gestire le perdite di transizione e le dimensioni del driver.
Quale configurazione dei pin è fornita?
Si tratta di un layout del transistor a tre pin compatibile con i comuni ingombri del circuito stampato di potenza e i processi di assemblaggio a foro passante.
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