MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.05 mΩ Depletion, 19 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie SIHK185N60E-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0268
Codice costruttore:
SIHK185N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.05mΩ

Modalità canale

Depletion

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

132W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.15 mm

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

Energia nominale a valanga (UIS)

Connessione Kelvin per ridurre il rumore di gate

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