MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.056 Ω Depletion, 42 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie

Codice RS:: 239-8635
Codice costruttore:: SIHK055N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.056 Ω Depletion, 42 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie

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Codice RS:: 239-8635
Codice costruttore:: SIHK055N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	42A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	E
	Tipo di package	PowerPAK 10 x 12
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.056Ω
	Modalità canale	Depletion
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	54nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	236W
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 42A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie E
	Tipo di package PowerPAK 10 x 12
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.056Ω
	Modalità canale Depletion
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 236W
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60E-T1-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 42 A - SIHK055N60E-T1-GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per ambienti di conversione di potenza e controllo automobilistico impegnativi. Funziona su una gamma ambiente estesa ed è offerto in un pacchetto compatto a montaggio superficiale adatto per assemblaggi ad alta densità, fornendo un equilibrio tra gestione della potenza e capacità termica per sistemi elettronici industriali e per veicoli.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 42 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.056 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 236 W consente un flusso di potenza sostenuto
• La carica tipica del gate di 54 nC riduce al minimo l'energia di commutazione
• La tolleranza del gate di 30 V garantisce un margine di azionamento robusto

Applicazioni

• Adatto per gli interruttori di potenza con inverter a fase di trazione
• Ideale per le uscite dei convertitori CC-CC ad alta tensione
• Utilizzato con controller per azionamento motore nei sistemi automobilistici
• Può essere utilizzato per la commutazione di alimentatori industriali
• Adatto per assemblaggi ad alta potenza a montaggio superficiale

Quale gamma termica posso aspettarmi durante l'implementazione di questo dispositivo?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, consentendo il funzionamento in condizioni ambientali estreme e sotto il cofano.

In che modo il contenitore influisce sul montaggio e sul raffreddamento?

Il formato a montaggio superficiale PowerPAK 10x12 fornisce un ingombro a basso profilo che facilita la conduzione termica dei circuiti stampati e i layout di schede densi.

Questo dispositivo è adatto per progetti automobilistici con esigenze di qualificazione?

Soddisfa i requisiti AEC-Q101, il che lo rende applicabile a molti progetti di elettronica per veicoli che richiedono componenti di livello automobilistico.

Quali vincoli del gate-drive devono essere osservati?

La tensione massima da gate a sorgente è di 30 V, pertanto i circuiti di gate-drive devono limitare le escursioni all'interno di tale intervallo per evitare stress.