MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.121 Ω N, 27 A, 3 Pin, TO-220, Montaggio superficiale SIHP135N65S-GE3

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Codice RS:
878-899
Codice costruttore:
SIHP135N65S-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

S Series

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.121Ω

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.4V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Dissipazione di potenza massima Pd

255W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per garantire prestazioni ottimali nelle applicazioni di alimentazione di server e telecomunicazioni, garantendo una maggiore efficienza e affidabilità in condizioni operative difficili.

Utilizza la più recente tecnologia della serie SF per una migliore funzionalità

Offre una bassa cifra di merito, riducendo la perdita di potenza durante il funzionamento

Classificato per l'energia a valanga, garantisce un'elevata affidabilità in condizioni transitorie

La struttura senza alogeni e senza piombo è conforme agli standard ambientali

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