MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 700 mΩ Miglioramento, 4.3 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SiHA690N60E-GE3
- Codice RS:
- 200-6806
- Codice costruttore:
- SiHA690N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 50 unità*
75,40 €
(IVA esclusa)
92,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 14 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,508 € | 75,40 € |
| 100 - 200 | 1,418 € | 70,90 € |
| 250 + | 1,33 € | 66,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 200-6806
- Codice costruttore:
- SiHA690N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 700mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 29W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.3mm | |
| Altezza | 13.8mm | |
| Larghezza | 4.7 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 700mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 29W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.3mm | ||
Altezza 13.8mm | ||
Larghezza 4.7 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il Vishay SiHA690N60E-GE3 è un MOSFET di potenza serie E.
Tecnologia della serie e di 4th generazione
Bassa figura di merito
Bassa capacità effettiva
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)