MOSFET Vishay, canale N 650 V, 700 mΩ Miglioramento, 4.3 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SiHA690N60E-GE3

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Codice RS:
200-6806
Codice costruttore:
SiHA690N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

4.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

29W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.3mm

Altezza

13.8mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiHA690N60E-GE3 è un MOSFET di potenza serie E.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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