MOSFET Vishay, canale N 650 V, 700 mΩ Miglioramento, 6.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD690N60E-GE3

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Codice RS:
200-6828
Codice costruttore:
SIHD690N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

6.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHD690N60E-GE3 è un MOSFET di potenza serie E.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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