MOSFET Vishay, canale Canale N 600 V, 0.269 Ω Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD250N60EF-GE3

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Codice RS:
735-240
Codice costruttore:
SIHD250N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

EF Series

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.269Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

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