MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 2.9 Ω Miglioramento, 2.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD2N80AE-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4982
Codice costruttore:
SIHD2N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SiHD2N80AE

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.25mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Distrelec Product Id

304-38-847

Standard automobilistico

No

Serie E MOSFET di potenza.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (CISS)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

APPLICAZIONI

Alimentatori per server e telecomunicazioni

Alimentatori modalità switching (SMPS)

Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

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