MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 2.9 Ω Miglioramento, 2.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD2N80AE-GE3
- Codice RS:
- 188-4982
- Codice Distrelec:
- 304-38-847
- Codice costruttore:
- SIHD2N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 188-4982
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- Codice costruttore:
- SIHD2N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.9Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 2.25mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.9Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 2.25mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua massima 2,9 A - SIHD2N80AE-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in sistemi industriali ed elettronici in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e resistenza termica. Funziona come un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento progettato per l'installazione a montaggio superficiale ed è adatto per le attività di conversione di potenza e controllo nelle apparecchiature elettriche e di automazione.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 800 V consente la commutazione ad alta tensione in progetti compatti • La corrente di drenaggio continua di 2,9 A supporta correnti di carico moderate • Carica gate tipica 7 nC per una gestione efficiente dell'energia del gate drive • Rds(on) di 2,9 Ω limita le perdite di conduzione in caso di carichi da leggeri a moderati • La dissipazione di potenza di 62,5 W consente un carico termico sostenuto • Intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C per applicazioni a temperatura elevata
Applicazioni
• Adatto per la commutazione su guida ad alta tensione nei convertitori industriali • Ideale per l'uso in stadi di potenza in azionamenti per motori con correnti moderate • Utilizzato per la commutazione lato linea in alimentatori e inverter • Può essere utilizzato per la soppressione dei transienti e i circuiti snubber nei sistemi CA
Quale intervallo di tensione del gate devo osservare per i circuiti di controllo?
Il dispositivo tollera tensioni gate-sorgente fino a 30 V, pertanto i driver gate devono essere specificati per rimanere entro questo massimo per evitare la degradazione del gate.
In che modo il montaggio influisce sulle prestazioni termiche?
Come contenitore TO-252 a montaggio superficiale, il trasferimento termico si basa su una buona area di rame del circuito stampato e su vie termiche per dissipare la potenza nominale del dispositivo
il rame insufficiente aumenterà la temperatura di giunzione.
Quale numero di pin e configurazione del pacchetto sono forniti?
Il componente è fornito in una configurazione TO-252 a tre pin adatta per i processi di assemblaggio standard a montaggio superficiale.
Come è necessario tenere conto del comportamento di conduzione in avanti nella progettazione?
La tensione diretta riportata è di 1,2 V
includere questo nei calcoli di perdita quando il diodo corpo conduce durante eventi di recupero inverso o rettifica sincrona.
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