MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 31 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SUD23N06-31-GE3

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

6,72 €

(IVA esclusa)

8,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 4285 unità in spedizione dal 10 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,344 €6,72 €
50 - 2451,142 €5,71 €
250 - 4950,944 €4,72 €
500 - 12450,886 €4,43 €
1250 +0,832 €4,16 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
636-5397
Codice costruttore:
SUD23N06-31-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

SUD23N06-31

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Dissipazione di potenza massima Pd

31.25W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Altezza

2.38mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SUD23N06-31 Vishay, tensione sorgente di drenaggio 60 V, corrente di drenaggio continua 23 A - SUD23N06-31-GE3


Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per commutare e controllare l'alimentazione nei sistemi elettronici. Funziona a tensioni fino a 60 V ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione continua significativa della corrente e una dissipazione di potenza moderata in un contenitore compatto TO-252.

Caratteristiche e vantaggi:


• Corrente di drenaggio continua di 23 A per capacità di commutazione ad alta corrente
• Rds(on) di 31 mΩ per ridurre le perdite di conduzione e migliorare l'efficienza
• Carica gate tipica 11 nC per una commutazione più rapida con requisiti di azionamento inferiori
• Dissipazione di potenza massima di 31,25 W per gestire lo stress termico in condizioni di carico
• Tensione massima gate-source di 20 V per un robusto headroom gate-drive
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C per un'ampia tolleranza ambientale

Applicazioni


• Adatto per azionamenti di motori CC che richiedono una corrente elevata sostenuta
• Ideale per le fasi di conversione di potenza nell'automazione industriale
• Utilizzato per la commutazione del carico nei gruppi di distribuzione dell'alimentazione
• Può essere utilizzato per alimentatori switching nei sistemi di controllo

Quale stile di montaggio utilizza e come influisce sull'assemblaggio?


È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252, che consente processi di saldatura automatizzati e layout PCB compatti.

In che modo il dispositivo gestisce la gestione termica su un circuito stampato?


Con una dissipazione massima di 31,25 W, richiede un'adeguata area di rame o vie termiche per diffondere il calore dal contenitore alla scheda.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per un funzionamento affidabile?


L'azionamento del gate deve rimanere entro ±20 V rispetto alla sorgente e fornire una carica sufficiente per raggiungere la carica tipica del gate di 11 nC per la velocità di commutazione desiderata.

Quali sono i limiti elettrici che devono essere rispettati durante la progettazione?


Assicurarsi che la tensione drain-sorgente non superi mai 60 V e che la corrente di drenaggio continua non superi 23 A nelle condizioni di raffreddamento previste.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.