MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 31 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SUD23N06-31-GE3
- Codice RS:
- 636-5397
- Codice costruttore:
- SUD23N06-31-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
6,72 €
(IVA esclusa)
8,20 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 4285 unità in spedizione dal 10 agosto 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,344 € | 6,72 € |
| 50 - 245 | 1,142 € | 5,71 € |
| 250 - 495 | 0,944 € | 4,72 € |
| 500 - 1245 | 0,886 € | 4,43 € |
| 1250 + | 0,832 € | 4,16 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 636-5397
- Codice costruttore:
- SUD23N06-31-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 23A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | SUD23N06-31 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 31mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 31.25W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Altezza | 2.38mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 23A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie SUD23N06-31 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 31mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 31.25W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Altezza 2.38mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie SUD23N06-31 Vishay, tensione sorgente di drenaggio 60 V, corrente di drenaggio continua 23 A - SUD23N06-31-GE3
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 31 mΩ per ridurre le perdite di conduzione e migliorare l'efficienza
• Carica gate tipica 11 nC per una commutazione più rapida con requisiti di azionamento inferiori
• Dissipazione di potenza massima di 31,25 W per gestire lo stress termico in condizioni di carico
• Tensione massima gate-source di 20 V per un robusto headroom gate-drive
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C per un'ampia tolleranza ambientale
Applicazioni
• Ideale per le fasi di conversione di potenza nell'automazione industriale
• Utilizzato per la commutazione del carico nei gruppi di distribuzione dell'alimentazione
• Può essere utilizzato per alimentatori switching nei sistemi di controllo
Quale stile di montaggio utilizza e come influisce sull'assemblaggio?
In che modo il dispositivo gestisce la gestione termica su un circuito stampato?
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per un funzionamento affidabile?
Quali sono i limiti elettrici che devono essere rispettati durante la progettazione?
Link consigliati
- MOSFET Vishay 31 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 210 mΩ Miglioramento TO-252, Superficie
- MOSFET Vishay 28 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SUD50P06-15-GE3
- MOSFET Infineon 210 mΩ Miglioramento TO-252, Superficie IPD60R280PFD7SAUMA1
- MOSFET Vishay 700 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SIHD690N60E-GE3
- MOSFET Vishay 950 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SIHD6N80AE-GE3
- MOSFET Vishay 31 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SI4056DY-T1-GE3
- MOSFET Infineon 65 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
