MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 700 mΩ Miglioramento, 6.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

24,85 €

(IVA esclusa)

30,325 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 250,994 €24,85 €
50 - 1000,943 €23,58 €
125 - 2250,918 €22,95 €
250 - 6000,894 €22,35 €
625 +0,872 €21,80 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
200-6829
Codice costruttore:
SIHD690N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHD690N60E-GE3 è un MOSFET di potenza serie E.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Link consigliati