MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.079 Ω Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHF074N65E-GE3

Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e il controllo nell'elettronica industriale. Funziona come dispositivo di potenziamento a canale N in un contenitore TO-220 a foro passante, offrendo una scelta pratica per assemblaggi riparabili e prototipazione in cui è necessaria una robusta gestione della tensione e un montaggio semplice.

• Il valore nominale drain-source di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 14 A supporta la gestione del carico sostenuto • L'Rds(on) di 0,079 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico • La carica di gate tipica 8 nC fornisce un comportamento di commutazione prevedibile • La potenza nominale massima gate-source di 30 V consente ampi margini di azionamento gate • La capacità di dissipazione di potenza di 39 W gestisce lo stress termico durante il funzionamento

• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione • Ideale per le estremità frontali dell'azionamento del motore industriale • Utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza nei convertitori • Può essere utilizzato per l'inverter e l'elettronica di potenza di saldatura • Adatto per prototipazione di laboratorio e riparazioni a foro passante

È specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C temperatura di giunzione massima per ambienti ad alta temperatura.

È fornito in un contenitore a foro passante TO-220 con tre pin per un semplice attacco su circuito stampato o dissipatore.

La carica di gate tipica è di 8 nC all'azionamento del gate nominale, che influisce sull'energia di transizione di commutazione e sulle dimensioni del driver.

Non è designato come parte standard per il settore automobilistico e pertanto non deve essere utilizzato nei casi in cui è richiesta la certificazione di livello automobilistico.