MOSFET Vishay, canale N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SIHP125N60EF-GE3

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Codice RS:
200-6817
Codice costruttore:
SIHP125N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHP125N60EF-GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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