MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
215-2481
Codice costruttore:
IPA65R125C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS C7

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Dissipazione di potenza massima Pd

32W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Cool MOS™ C7 di Infineon è un rivoluzionario passo avanti nella tecnologia, che offre la RDS(on)/contenitore più bassa del mondo e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti dell'efficienza su tutta la gamma di carico. La gamma di prodotti offre tutti i vantaggi dei MOSFET a super giunzione a commutazione rapida che offrono una migliore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.

Margine di sicurezza migliorato e adatto sia per alimentatori switching che solari applicazioni inverter

Perdite di conduzione/contenitore minimo

Basse perdite di commutazione

Migliore efficienza con carichi leggeri

Aumento della densità di potenza

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