MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ N, 66 A, TO-220, Superficie IPAN60R125PFD7SXKSA1

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS PFD7 da 600 V integra l'offerta CoolMOS 7 per le applicazioni di consumo. Il MOSFET in un contenitore a cavo stretto TO-220 FullPAK è dotato di RDS(on) di 125 mOhm che si traduce in basse perdite di commutazione. I prodotti sono dotati di un diodo a corpo rapido che garantisce un dispositivo robusto e, a sua volta, riduce il costo del materiale per il cliente. Questa famiglia di prodotti è progettata su misura per una densità di potenza estremamente elevata e per la massima efficienza. I prodotti si rivolgono principalmente a caricabatterie ad altissima densità, adattatori e azionamenti per motori a bassa potenza. Il modello CoolMOS PFD7 da 600 V offre una migliore efficienza a pieno carico e leggera rispetto alle tecnologie CoolMOS P7 e MOSFET CE che si traduce in un aumento della densità di potenza di 1,8 W/pollice3.

Ampia gamma di valori RDS(on)