MOSFET Infineon, canale N 650 V, 41 mΩ, 50 A, TO-220, Montaggio superficiale IPP65R041CFD7XKSA1
- Codice RS:
- 258-3897
- Codice costruttore:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3897
- Codice costruttore:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | IPP | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 102nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 227W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie IPP | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 102nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 227W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS CFD7 da 650 V in un contenitore TO-220 è ideale per le topologie di risonanza in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare e EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso ridotta che consente la massima efficienza e densità di potenza, nonché una tensione di rottura aggiuntiva di 50 V.
Diodo corpo ultrarapido e Qrr molto basso
Tensione di rottura 650 V
Perdite di commutazione notevolmente ridotte rispetto alla concorrenza
Eccellente robustezza resistente alla commutazione
Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione bus
Consente una maggiore densità di potenza
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