MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ N, 26 A, TO-220, Superficie

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Codice RS:
258-3781
Codice costruttore:
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

IPA

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS PFD7 da 600 V integra l'offerta CoolMOS 7 per le applicazioni di consumo. Il MOSFET a super giunzione CoolMOS PFD7 in un contenitore TO-220 FullPAK NL raggiunge basse perdite di commutazione, con un RDS(on) di 360 mOhm. Il modello CoolMOS PFD7 da 600 V viene fornito con un diodo a corpo rapido integrato che garantisce un dispositivo robusto e, a sua volta, riduce il costo del materiale per il cliente. Questa famiglia di prodotti è progettata su misura per una densità di potenza estremamente elevata e per la massima efficienza. I prodotti si rivolgono principalmente a caricabatterie ad altissima densità, adattatori e azionamenti per motori a bassa potenza. Il modello CoolMOS PFD7 da 600 V offre una migliore efficienza a pieno carico e leggera rispetto alle tecnologie CoolMOS P7 e MOSFET CE che si traduce in un aumento della densità di potenza di 1,8 W/pollice3.

Eccellente robustezza di commutazione

Bassa EMI

Ampio portafoglio di contenitori

Riduzione dei costi BOM e facile fabbricazione

Robustezza e affidabilità

Facile da selezionare le parti giuste per la messa a punto del design

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