MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 87 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
220-7369
Codice costruttore:
IPA60R125P6XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

87A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS P6

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET a super giunzione Infineon Cool MOS P6 è progettata per consentire una maggiore efficienza del sistema ed è al contempo facile da progettare. Cool MOS P6 colma il divario tra le tecnologie che si concentrano sull'offerta di prestazioni all'avanguardia e quelle che si concentrano maggiormente sulla facilità d'uso.

Carica di gate ridotta (Q g)

Più alto V il

Buona robustezza del diodo del corpo

R g ottimizzata integrata

Dv/dt migliorato da 50V/ns

Maggiore efficienza soprattutto in condizioni di carico leggero

Migliore efficienza nelle applicazioni di soft switching grazie allo spegnimento precedente

Adatto per topologie a commutazione dolce e dura

Equilibrio ottimizzato di efficienza e facilità d'uso e buona qualità controllabilità del comportamento di commutazione

Elevata robustezza e migliore efficienza

Qualità e affidabilità eccezionali

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