MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 120 mΩ Miglioramento, 78 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

73,90 €

(IVA esclusa)

90,15 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1350 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 +1,478 €73,90 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
220-7367
Codice costruttore:
IPA60R120P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

78A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS 600V Infineon è il successore della serie 600V Cool MOS P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.

600V P7 consente un'eccellente RDS(ON)xEoss FOM e RDS(ON)xQG

Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)

Resistore gate RG integrato

Diodo dal corpo robusto

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e industriale

Eccellenti FOMS RDS(ON)xQG / RDS(ON)xEoss consentono una maggiore efficienza

Facilità d'uso in ambienti di produzione grazie all'interruzione dei guasti ESD

La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET

Il MOSFET è adatto per topologie di commutazione sia difficili che risonanti Come PFC e LLC

Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo visto Nella topologia LLC

Adatto per un'ampia varietà di applicazioni finali e uscite poteri

Parti disponibili adatte per applicazioni industriali e di consumo

Link consigliati