MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 120 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPP60R120C7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4702
Codice costruttore:
IPP60R120C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

92W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.36mm

Altezza

4.57mm

Larghezza

15.95 mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET Infineon, noti anche come transistor MOSFET, sono l'acronimo di 'Metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistor'. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Placcatura senza piombo; Conformità RoHS

Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23

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