MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 41 mΩ, 50 A, TO-220

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Codice RS:
258-3896
Codice costruttore:
IPP65R041CFD7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IPP

Tipo di package

TO-220

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

227W

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

102nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS CFD7 da 650 V in un contenitore TO-220 è ideale per le topologie di risonanza in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare e EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso ridotta che consente la massima efficienza e densità di potenza, nonché una tensione di rottura aggiuntiva di 50 V.

Diodo corpo ultrarapido e Qrr molto basso

Tensione di rottura 650 V

Perdite di commutazione notevolmente ridotte rispetto alla concorrenza

Eccellente robustezza resistente alla commutazione

Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione bus

Consente una maggiore densità di potenza

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