MOSFET Infineon, 211 A, PG-TO220-3, Montaggio superficiale

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS CFD7 da 650 V in un contenitore TO-220 è ideale per le topologie di risonanza in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare e EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso ridotta che consente la massima efficienza e densità di potenza, nonché una tensione di rottura aggiuntiva di 50 V.

Diodo corpo ultrarapido e Qrr molto basso
Tensione di rottura 650 V
Perdite di commutazione notevolmente ridotte rispetto alla concorrenza
Eccellente robustezza resistente alla commutazione
Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione bus
Consente una maggiore densità di potenza