MOSFET Infineon, canale N 650 V, 95 mΩ, 24 A, 3 Pin, TO-220, Montaggio superficiale IPP65R095C7XKSA1
- Codice RS:
- 258-3899
- Codice costruttore:
- IPP65R095C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3899
- Codice costruttore:
- IPP65R095C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 24A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | IPP | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 95mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 128W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 24A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie IPP | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 95mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 128W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di super-giunzione e ideata da Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina l'esperienza del principale fornitore di MOSFET SJ con innovazione di alta classe. Il portafoglio di prodotti offre tutti i vantaggi dei MOSFET a super giunzione a commutazione offset che offrono una maggiore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.
Carica gate Qg inferiore
Risparmio di spazio grazie all'uso di contenitori più piccoli o alla riduzione dei componenti
Minime perdite di conduzione/contenitore
Basse perdite di commutazione
Migliore efficienza del carico leggero
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