MOSFET Infineon, canale N 650 V, 95 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB65R095C7ATMA2

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

32,07 €

(IVA esclusa)

39,13 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 185 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 56,414 €32,07 €
10 - 205,838 €29,19 €
25 - 455,452 €27,26 €
50 - 1205,068 €25,34 €
125 +4,682 €23,41 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2506
Codice costruttore:
IPB65R095C7ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

900mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Dissipazione di potenza massima Pd

129W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.45mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie CoolMOS™ C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con l'innovazione di alta classe. La gamma di prodotti offre tutti i vantaggi di MOSFET a super giunzione di commutazione che offrono una migliore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.

Maggiore robustezza del MOSFET dv/dt

Migliore efficienza grazie ai migliori FOMRDS(on)*Eoss e RDS(on)*Qg

RDS(ON)/contenitore di prima classe

Facile da usare/guidare

Placcatura senza piombo, composto stampato senza alogeni

Idoneità per applicazioni industriali in conformità a JEDEC(J-STD20 andJESD22)

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.