MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 95 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB65R095C7ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2506
Codice costruttore:
IPB65R095C7ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

129W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.45mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie CoolMOS™ C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con l'innovazione di alta classe. La gamma di prodotti offre tutti i vantaggi di MOSFET a super giunzione di commutazione che offrono una migliore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.

Maggiore robustezza del MOSFET dv/dt

Migliore efficienza grazie ai migliori FOMRDS(on)*Eoss e RDS(on)*Qg

RDS(ON)/contenitore di prima classe

Facile da usare/guidare

Placcatura senza piombo, composto stampato senza alogeni

Idoneità per applicazioni industriali in conformità a JEDEC(J-STD20 andJESD22)

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