- Codice RS:
- 189-0381
- Codice costruttore:
- NTB095N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 2
5,87 €
(IVA esclusa)
7,16 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Pack* |
2 - 8 | 5,87 € | 11,74 € |
10 - 98 | 5,01 € | 10,02 € |
100 - 248 | 4,02 € | 8,04 € |
250 - 498 | 3,78 € | 7,56 € |
500 + | 3,69 € | 7,38 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 189-0381
- Codice costruttore:
- NTB095N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è la nuova famiglia di MOSFET a giunzione super-tensione (SJ) che utilizza la tecnologia a bilanciamento di carica per una bassa resistenza on-resistance e prestazioni di carica a gate inferiore. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto ai vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e la maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo body del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.
700 V a TJ = 150 °C
Carica gate ultra bassa (Typ. QG = 66 nC)
Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 569 pF)
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Capacità ottimizzata
Tip. RDS(on) = 80 mQ Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Applications
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Prodotti finali
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS
Carica gate ultra bassa (Typ. QG = 66 nC)
Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 569 pF)
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Capacità ottimizzata
Tip. RDS(on) = 80 mQ Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Applications
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Prodotti finali
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 36 A |
Tensione massima drain source | 650 V |
Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 95 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 5V |
Tensione di soglia gate minima | 3V |
Dissipazione di potenza massima | 272 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | ±30 V |
Larghezza | 9.65mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 66 nC a 10 V |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Lunghezza | 10.67mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Tensione diretta del diodo | 1.3V |
Altezza | 4.58mm |
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