MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 80 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 228-2874
- Codice costruttore:
- SiHP080N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,74 € | 137,00 € |
| 100 - 200 | 2,575 € | 128,75 € |
| 250 + | 2,329 € | 116,45 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 228-2874
- Codice costruttore:
- SiHP080N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 227W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 227W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))