MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 80 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

Codice RS:: 228-2874
Codice costruttore:: SiHP080N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 80 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

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Codice RS:: 228-2874
Codice costruttore:: SiHP080N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	JEDEC TO-220AB
	Serie	E
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	80mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	227W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	42nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package JEDEC TO-220AB
	Serie E
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 227W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SiHP080N60E-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua massima 35 A - SiHP080N60E-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione e il controllo della potenza nei sistemi industriali ed elettronici. Funziona come transistor in modalità di potenziamento in un contenitore TO-220 a foro passante, consentendo un montaggio robusto e dissipazione di calore per le applicazioni più impegnative. Il dispositivo è adatto per circuiti che richiedono un'elevata gestione della tensione di drenaggio-sorgente e una significativa capacità di corrente continua.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di 650 V consente la gestione di guide di alimentazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 35 A supporta correnti di carico sostanziali • L'Rds(on) di 80 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante la commutazione • La carica di gate tipica di 42 nC riduce i requisiti energetici del driver • La dissipazione di potenza di 227 W consente un carico termico sostenuto • La temperatura di giunzione massima di 150 °C consente il funzionamento ad alta temperatura

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione negli alimentatori industriali • Ideale per i front-end di azionamento del motore che richiedono robusti elementi di commutazione • Utilizzato per gli stadi inverter in sistemi rinnovabili di media potenza • Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza nelle apparecchiature commerciali • Utilizzato con progetti di commutazione discreti che richiedono un montaggio a foro passante

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo accettare?

Aspettatevi una carica di gate tipica di 42 nC all'azionamento del gate specificato, pertanto selezionate un driver in grado di generare e assorbire la corrente di picco richiesta per soddisfare gli obiettivi di velocità di commutazione.

Come deve essere applicata la gestione termica in un progetto?

Utilizzare un dissipatore di calore adatto collegato alla linguetta TO-220 e considerare la dissipazione di potenza nominale di 227 W in condizioni termiche definite per mantenere la temperatura di giunzione al di sotto del limite di 150 °C.

Quali sono i vincoli di polarità e montaggio per l'integrazione su circuito stampato?

Il dispositivo è un dispositivo di potenziamento a canale N con tre pin in una disposizione a foro passante TO-220, che consente un fissaggio meccanico sicuro e un accoppiamento termico diretto a un telaio o a un dissipatore.

Esistono limiti per la tensione del gate durante il funzionamento?

La tensione gate-sorgente massima consentita è di 30 V, pertanto i circuiti di azionamento gate devono essere progettati per rimanere entro questa soglia per evitare lo stress del dispositivo.