MOSFET ROHM, canale Tipo N 650 V, 2.7 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-220 R6535KNX3C16

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-1129
Codice costruttore:
R6535KNX3C16
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

R6535KNX3

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72nC

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza con corrente di drain da 35 A, 650 V, canale N di commutazione ad alta velocità ROHM offre prodotti di commutazione ad alta velocità, MOSFET a super giunzione che pongono l'accento sull'elevata efficienza. Questi prodotti della serie raggiungono una maggiore efficienza tramite commutazione ad alta velocità, h.

Bassa resistenza in stato attivo

Commutazione ultra rapida

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conforme RoHS

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