MOSFET ROHM, canale N 650 V, 2.7 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante R6515KNX3C16

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-1120
Codice costruttore:
R6515KNX3C16
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

R6515KNX3

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pb-Free Plating, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza con corrente di drain da 15 A, 650 V, canale N di commutazione ad alta velocità ROHM offre prodotti di commutazione ad alta velocità, MOSFET a super giunzione che pongono l'accento sull'elevata efficienza. Questi prodotti della serie raggiungono una maggiore efficienza tramite commutazione ad alta velocità, h.

Bassa resistenza in stato attivo

Commutazione ultra rapida

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

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