MOSFET ROHM, canale N 650 V, 2.7 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
249-1125
Codice costruttore:
R6530KNX3C16
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

R6530KNX3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza con corrente di drain da 30 A, 650 V, canale N di commutazione ad alta velocità ROHM offre prodotti di commutazione ad alta velocità, MOSFET a super giunzione che pongono l'accento sull'elevata efficienza. Questi prodotti della serie raggiungono una maggiore efficienza tramite commutazione ad alta velocità, h.

Bassa resistenza in stato attivo

Commutazione ultra rapida

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conforme RoHS

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