MOSFET ROHM, canale Tipo N 650 V, 2.7 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-220

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Codice RS:
249-1125
Codice costruttore:
R6530KNX3C16
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

R6530KNX3

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza con corrente di drain da 30 A, 650 V, canale N di commutazione ad alta velocità ROHM offre prodotti di commutazione ad alta velocità, MOSFET a super giunzione che pongono l'accento sull'elevata efficienza. Questi prodotti della serie raggiungono una maggiore efficienza tramite commutazione ad alta velocità, h.

Bassa resistenza in stato attivo

Commutazione ultra rapida

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conforme RoHS

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